[发明专利]可控硅失效检测与保护方法及其装置

摘要

本发明公开了一种可控硅失效检测与保护方法，包括以下步骤：中央处理器检测电源过零信号是否发生跳变；当可控硅的电压在过零信号发生跳变后一直小于0.5V或者一直大于4.8V时，对可控硅做开路标记；当可控硅的电压在过零信号发生跳变后一直处于2.5V至4.0V之间时，对可控硅做短路标记；中央处理器对可控硅运行可控硅保护程序。本发明还公开了一种可控硅失效检测与保护装置。本发明所提供的可控硅失效检测与保护方法及其装置，准确判断出故障发生元件是否为可控硅，并通过显示故障信息及自动切断负载供电继电器方式，以方便维修，提高产品安全性能及智能化程度。

主权项

一种可控硅失效检测与保护方法，其特征在于，包括以下步骤：中央处理器对可控硅的输出变化标记位进行检测；所述中央处理器的模数转换口对所述可控硅进行检测；所述模数转换口检测所述可控硅的电压；中央处理器检测电源过零信号是否发生跳变；当所述可控硅的电压在过零信号发生跳变后一直小于0.5V或者一直大于4.8V时，对所述可控硅做开路标记；当所述可控硅的电压在过零信号发生跳变后一直处于2.5V至4.0V之间时，对所述可控硅做短路标记；判断所述可控硅的状态是否与要求的工作状态相同；若不相同，所述中央处理器对所述可控硅运行可控硅保护程序切断马达供电继电器RY1的供电，并显示异常；若相同，则结束本次检测，继续下一次同样的检测循环。