[发明专利]一种薄膜磁阻传感器有效
| 申请号： | 201010193327.7 | 申请日： | 2010-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101871787A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 王建国;薛松生 | 申请（专利权）人： | 王建国;薛松生 |
| 主分类号： | G01D5/14 | 分类号： | G01D5/14;G01R33/09 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种传感器，尤其是一种薄膜磁阻传感器，具体地说是一种用于磁场中电流、位置、移动角度，角速度等量检测的传感器。按照本发明提供的技术方案，所述薄膜磁阻传感器，包括种子层；参考层，位于种子层上，产生第一交换耦合场；非磁性隔离层，位于参考层上，将参考层与自由层相隔离；自由层，位于非磁性隔离层上，感应外磁场变化，并产生第二交换耦合场，所述第二交换耦合场与第一交换耦合场互相垂直。本发明磁滞小、测量精度和线性度高、线性范围可调、制作工艺简单、响应频率高、制造成本低及抗干扰能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 磁阻 传感器 | ||
【主权项】：
一种薄膜磁阻传感器，其特征是，包括：种子层；参考层，位于种子层上，产生第一交换耦合场；非磁性隔离层，位于参考层上，将参考层与自由层相隔离；自由层，位于非磁性隔离层上，感应外磁场变化，并产生第二交换耦合场，所述第二交换耦合场与第一交换耦合场互相垂直。
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