[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010194159.3 | 申请日： | 2007-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101872756A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 古泽健志;儿玉大介;松本雅弘;宫崎博史 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李浩;李家麟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，该半导体装置具有在铜合金布线与通道的连接面上形成了含氮的势垒金属膜的结构，其中，能够抑制铜合金布线与通道之间的电阻的上升以及可抑制电阻的分散。在本发明的半导体装置中，具有第一铜合金布线(3)、通道(4)以及第一势垒金属膜(7)。此处，第一铜合金布线(3)形成在层间绝缘膜(1)内，在作为主要成分的Cu中含有预定的添加元素。通道(4)形成在层间绝缘膜(2)内，与第一铜合金布线(3)的上表面电连接。在第一铜合金布线(3)与通道(4)的连接部上，与第一铜合金布线(3)接触地形成第一势垒金属膜(7)，该第一势垒金属膜(7)含有氮。预定的添加元素是通过与氮反应形成高电阻部的元素。此外，预定的添加元素的浓度为0.04wt％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：第一铜合金布线，配置在第一层间绝缘膜内，在作为主要成分的Cu中添加有Al；第二层间绝缘膜，形成在所述第一层间绝缘膜上；和第二铜合金布线，配置在所述第二层间绝缘膜内，在作为主要成分的Cu中添加有Al，所述第二铜合金布线的所述Al的浓度小于所述第一铜合金布线的所述Al的浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技，未经株式会社瑞萨科技许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010194159.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：性能退化的锂离子蓄电池单元的再生和再次使用
- 下一篇：半导体装置
