[发明专利]一种铝导线的形成方法无效
| 申请号： | 201010194499.6 | 申请日： | 2010-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN102270602A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈伏宏;韩冬 | 申请（专利权）人： | 和舰科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 215025 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种铝导线的形成方法，属于集成电路制造技术领域。所述方法包括：步骤(1)：在铝金属导线层的上方，设置光阻和硬膜介电层作为阻挡层；步骤(2)：不使用特殊保护性气体，直接对所述铝金属导线层进行蚀刻，形成铝导线。本发明能够得到良好的铝导线形状，并且反应室无颗粒问题，避免了产品发生铝导线桥接的缺陷，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导线 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种铝导线的形成方法，其特征在于，包括：步骤(1)：在铝金属导线层的上方，设置光阻和硬膜介电层作为阻挡层；步骤(2)：不使用特殊保护性气体，直接对所述铝金属导线层进行蚀刻，形成铝导线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于和舰科技(苏州)有限公司，未经和舰科技(苏州)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010194499.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：LED封装方法及LED
- 下一篇：一种用于集成电路制造的场区隔离方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
