[发明专利]一种具有缓和坡度的牺牲层结构的制备方法无效
申请号: | 201010194660.X | 申请日: | 2010-06-08 |
公开(公告)号: | CN101872119A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 王军;吴志明;彭自求;蒋亚东 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有缓和坡度的牺牲层结构的制备方法,该方法通过多次掩膜曝光实现牺牲层图形的制作,使得制备出牺牲层侧壁具有缓和的斜坡形状。该具有斜坡结构的牺牲层能克服现有技术中的缺陷,既保证了桥结构高落差下的稳定电学连通,降低桥腿爬坡过程中的急剧高度变化引起的桥面形变,又简化了制备工艺流程,为高性能红外辐射阵列探测器提供了有力支持。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 缓和 坡度 牺牲 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有缓和坡度的牺牲层结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:①在带有驱动电路(20)的衬底(10)上制备一层厚度均匀的牺牲层(30),驱动电路(20)预留有与顶层电极连接的电路接口(21);②对经步骤①得到的衬底(10)进行烘烤,使表面液态化的牺牲层(30)中的水汽及部分溶剂挥发;③对烘烤后的牺牲层(30)进行曝光操作:采用不同掩膜图形尺寸的光掩膜板进行多次曝光,每次曝光都需要将衬底图形与掩膜版图形对准,被曝光区域与电路接口(21)相对应并且面积每次都不相同;④将经步骤③曝光完成的衬底(10)进行烘烤,然后进行显影操作,将牺牲层(30)被曝光的部分除去,与电路接口(21)对应的区域由于曝光量的差异,显影速度不同,显影完成后牺牲层(30)与电路接口(21)对应的区域边缘呈现出缓和的坡度并将电路接口(21)暴露出来;⑤将步骤④得到的衬底(10)进行亚胺化操作,然后进行后续功能薄膜(60)的制备,功能薄膜(60)覆盖在牺牲层(30)的表面,同样呈现出缓和的坡度。
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