[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201010194884.0 | 申请日： | 2010-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101901836A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;工藤智彦 | 申请（专利权）人： | 日本优尼山帝斯电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其目的在解决属于三次元半导体的SGT因为泄漏电流增加所致消耗电力的增大，而实现SGT的低消耗电力。本发明的半导体器件的特征在于，具备：第1导电型第1硅柱、包围该第1导电型第1硅柱的侧面的第1绝缘体及包围该第1绝缘体的栅极；在第1硅柱的下部具备有第2硅柱，在第1硅柱的上部具备有第3硅柱；并且，半导体器件由以下区域所构成：第2导电型高浓度杂质区域，形成在除第2硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面；第1导电型杂质区域，由形成于第2硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围；第2导电型高浓度杂质区域，形成在除第3硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面；以及第1导电型杂质区域，由形成于第3硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围；而第2硅柱与第3硅柱的第1导电型杂质区域较从第2硅柱与第3硅柱的底部延伸的耗尽区区域还大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具备：第1导电型第1硅柱、包围该第1导电型第1硅柱的侧面的第1绝缘体及包围该第1绝缘体的栅极；在所述第1硅柱的下部具备有第2硅柱，而在所述第1硅柱的上部具备有第3硅柱；并且，半导体器件由以下区域所构成：第2导电型高浓度杂质区域，形成在除所述第2硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面；第1导电型杂质区域，由形成于所述第2硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围；第2导电型高浓度杂质区域，形成在除所述第3硅柱的与第1硅柱的接触面以外的面；以及第1导电型杂质区域，由形成于所述第3硅柱的第2导电型高浓度杂质区域所包围；而形成于所述第2硅柱的第1导电型杂质区域的长度较从形成于所述第2硅柱的底部的第2导电型高浓度杂质区域延伸的耗尽区还短；而形成于所述第3硅柱的第1导电型杂质区域的长度较从形成于第3硅柱的底部的第2导电型高浓度杂质区域延伸的耗尽区还长。
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