[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010195003.7 | 申请日： | 2010-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101937904A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 宫坂满美 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括对准标记。在对准标记上扫描探测束，以检测对准标记的位置坐标，并且该对准标记包括以第一预定间隔、沿扫描检测束的第一方向布置的多个条标记。多个条标记中的每个包括沿与第一方向正交的第二方向布置的多个互连标记，并且在设计限制的范围内，多个互连标记中的相邻两个互连标记之间的第一空隙比所述检测束的波长更短。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包括对准标记的半导体器件，其中，在所述对准标记上扫描检测束，以便检测所述对准标记的位置坐标，其中，所述对准标记包括以第一预定间隔、沿扫描所述检测束的第一方向布置的多个第一条标记，其中，所述多个第一条标记中的每个包括沿与所述第一方向正交的第二方向布置的多个第一互连标记，以及其中，在设计限制的范围内，所述多个第一互连标记中的相邻两个第一互连标记之间的第一空隙比所述检测束的波长短。
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