[发明专利]高通量透氢钯膜的新型制备工艺无效
| 申请号： | 201010195590.X | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101869984A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 蒋炜;梁斌;丁冉峰;赵蓉 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | B22F3/16 | 分类号： | B22F3/16;B22F3/20;C25D11/26;C23C18/44;C23C18/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了一种制备高通量钯膜或钯合金膜的新工艺，属于化工和材料领域。以金属钛粉末为原料，经静压或挤压、烧结、打磨、洗涤制备多孔钛载体；通过阳极氧化法在载体表面形成规则排列的二氧化钛纳米管层，经清洗、退火后作为基底；将该载体浸没入含钯溶液，经紫外光照射形成钯膜或钯合金膜；将钯膜多次分别浸入肼液与化学镀液进行增强和修饰，经干燥得到修饰后钯膜或钯合金膜。该工艺制备钯膜，工艺简单，成本低廉，钯膜与基底结合力强，寿命长，通量高，对氢气渗透选择性好。 | ||
| 搜索关键词： | 通量 透氢钯膜 新型 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种制备钯膜及钯合金膜的工艺方法，其特征在于按顺序包括如下步骤：(A)将钛粉压制或挤出经烧结成型得到多孔钛载体，(B)阳极氧化在多孔钛载体表面形成二氧化钛纳米管结构，(C)将阳极氧化后多孔载体烧结退火，(D)光催化沉积钯膜及钯合金膜，(E)以化学镀方法对光催化沉积的钯膜进行修饰。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川大学，未经四川大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010195590.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
