[发明专利]核-壳结构的钇锑基复合磁性颗粒光催化剂制备方法有效

专利信息
申请号: 201010195782.0 申请日: 2010-06-09
公开(公告)号: CN101850256A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 栾景飞;马坤;张玲燕;胡知田 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: B01J23/843 分类号: B01J23/843;B01J23/18;B01J23/34;B01J37/34;C23C14/35;C23C14/08;C02F1/30;C02F1/32;C01B3/04;C02F101/30
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 代理人: 陈建和
地址: 210093 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 核-壳结构的催化材料磁性颗粒核-Y3-xYbxSbO7和磁性颗粒核-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)的制备方法,采用脉冲激光溅射沉积的方法:a.靶材制备:采用固相烧结的方法制备Y3-xYbxSbO7和Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)靶材;b.选取衬底:选用铁磁性颗粒γ-Fe2O3、顺磁性颗粒SiO2或反铁磁性颗粒MnO作为衬底;c.采用脉冲激光溅射沉积,激光主波长为248nm,激光功率密度为2~3J/cm2,以氮气为保护气氛,在γ-Fe2O3、SiO2或MnO衬底上沉积厚度不同的膜,将上述膜分别于氮气或在氩气中在1340±10℃和1340±10℃温度下处理60±10min,使之晶化而得到所需的磁性复合催化材料,包括制备Y3-xYbxSbO7与Y3-xGaxSbO7。
搜索关键词: 结构 钇锑基 复合 磁性 颗粒 光催化剂 制备 方法
【主权项】:
核-壳结构的催化材料磁性颗粒核-Y3-xYbxSbO7(0.5≤x≤1)和磁性颗粒核-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)的制备方法:其特征是采用脉冲激光溅射沉积的方法:a.靶材制备:采用固相烧结的方法制备Y3-xYbxSbO7(0.5≤x≤1)和Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)靶材,靶材直径为10mm,厚度为2mm;b.选取衬底:选用铁磁性颗粒γ-Fe2O3、顺磁性颗粒SiO2或反铁磁性颗粒MnO作为衬底;c.采用脉冲激光溅射沉积,激光主波长为248nm,激光功率密度为2~3J/cm2,以氮气为保护气氛,氮气和氧气(纯度为99.99%)的压力为8~10Pa,沉积室内初始压力为6×10-5Pa~2×10-3Pa,靶材至衬底的距离为3~7厘米,衬底的温度为300~700℃,分别溅射Y3-xYbxSbO7(0.5≤x≤1)靶材和Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)靶材至铁磁性颗粒γ-Fe2O3、顺磁性颗粒SiO2或反铁磁性颗粒MnO衬底表面,在γ-Fe2O3、SiO2或MnO衬底上沉积厚度不同的膜,薄膜沉积时间为90~120分钟,将上述六种膜分别于氮气或在氩气中在1340±10℃和1340±10℃温度下处理60±10min,使之晶化而得到所需的磁性复合催化材料γ-Fe2O3-Y3-xYbxSbO7(0.5≤x≤1)、γ-Fe2O3-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)、SiO2-Y3-xYbxSbO7(0.5≤x≤1)、SiO2-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)、MnO-Y3-xYbxSbO7(0.5≤x≤1)或MnO-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1);或采用多靶磁控溅射沉积的方法:a.靶材制备:准备纯金属Yb或Ga与Sb和Y金属靶材,靶材直径为5~6厘米;b.选取衬底:选用铁磁性颗粒γ-Fe2O3、、顺磁性颗粒SiO2或反铁磁性颗粒MnO作为衬底;c.采用多靶磁控溅射,溅射功率为60~200W,以氩气为保护气氛,氩气和氧气(纯度为99.99%)的压力为4~32mTorr,氧气的流量比(O2/(O2+Ar))为30%~50%,沉积室内初始压力为3.3×10-6Torr~1×10-5Torr,靶材至衬底的距离为4~15厘米,衬底的温度为0~400℃,薄膜沉积速率为1~2nm/min;在氧气和氩气的混合气体中共溅射纯金属Y、Yb和Sb靶材至铁磁性颗粒γ-Fe2O3、顺磁性颗粒SiO2或反铁磁性颗粒MnO衬底表面,在衬底上沉积形成Y3-xYbxSbO7(0.5≤x≤1)膜层,将上述三种膜层于氮气或氩气中在1340±10℃处理60±10min;使之晶化而得到所需的光催化剂核壳结构γ-Fe2O3(铁磁性颗粒核)-Y3-xYbxSbO7(0.5≤x≤1)(光催化剂壳)、SiO2-Y3-xYbxSbO7(0.5≤x≤1)或MnO-Y3-xYbxSbO7(0.5≤x≤1)。在氧气和氩气的混合气体中共溅射纯金属Y、Ga和Sb靶材至铁磁性颗粒γ-Fe2O3、顺磁性颗粒SiO2或反铁磁性颗粒MnO衬底表面,在衬底上沉积形成Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)膜层,将上述三种膜层于氮气或氩气中在1340±10℃处理60±10min;使之晶化而得到所需的γ-Fe2O3(铁磁性颗粒核)-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)(光催化剂壳)、SiO2-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)或MnO-Y3-xGaxSbO7(0.5≤x≤1)。
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