[发明专利]一种去除多晶硅碳头料中碳的方法有效
| 申请号： | 201010195803.9 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102041510A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 邹华;银波;宋高杰;金晶;王文;张旭 | 申请（专利权）人： | 特变电工新疆硅业有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔自*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除多晶硅碳头料中碳的方法，主要是将碳头料破碎后分为三类，第一类物料为不含碳的硅块，其无需清洗处理；第二类物料为表面有不厚于1cm碳层的硅块，第三类物料为夹有碳层或其表面碳厚度超过1cm的硅块；上述第二、三类物料需经不同的碳硅分离液清洗，后经水洗、吹扫、酸洗、再次水洗及烘干处理；其中第二类物料的碳硅分离液为浓硫酸、浓硝酸和高锰酸钾的混合溶液，第三类物料的碳硅分离液为浓硫酸和高锰酸钾的混合溶液。本发明从分选碳头料开始，针对不同的物料采用不同的方法处理，可以提高效率和降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 多晶 硅碳头料中碳 方法 | ||
【主权项】：
一种去除多晶硅碳头料中碳的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)碳头料破碎后分类：将破碎后的碳头料分为三类：第一类物料为不含碳的硅块，第二类物料为表面有不厚于1cm碳层的硅块，第三类物料为夹有碳层或其表面碳厚度超过1cm的硅块；(2)分类处理：(a)第一类物料无需清洗处理；(b)第二类物料先放入碳硅分离液清洗，后经水洗、吹扫、酸洗、再次水洗及烘干处理；所述碳硅分离液为浓硫酸、浓硝酸和高锰酸钾的混合溶液，其重量比为：浓硫酸20份，浓硝酸1～10份，高锰酸钾0.1～0.5份，清洗时间为2～8小时；(c)第三类物料的处理流程同第二类物料，不同之处在于，所述的的碳硅分离液为浓硫酸和高锰酸钾的混合溶液，其重量比为：浓硫酸20份，高锰酸钾0.1～0.3份，清洗时间8～24小时。
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