[发明专利]一种具有微通道结构的TFT基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201010195978.X | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101866954A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘萍 | 申请（专利权）人： | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/26;H01L21/336;H01L21/205 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518057 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有微通道结构的TFT基板及其制备方法，涉及真空镀膜技术。该TFT基板包括非晶硅薄膜与在非晶硅薄膜层上下的两层MgO薄膜。该方法是采用磁控溅射制备MgO薄膜和等离子体增强化学汽相沉积技术(PECVD)来制备非晶硅薄膜。MgO薄膜的二次电子发射系数大，当具有一定能量的电子轰击到MgO薄膜，可以得到更多的自由电子。使用本发明可保证微通道结构的TFT基板致密且厚度均匀。本发明不但提高了非晶硅薄膜载流子迁移率，而且使用本发明的非晶硅薄膜来制备的薄膜晶体管(TFT)性能接近于低温多晶硅制备的TFT性能，并可以大幅度地降低TFT基板的制备成本，还简化TFT相关的制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 通道 结构 tft 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微通道结构的TFT基板，包括玻璃基板(1)，其特征是：还包括非晶硅薄膜(2)和位于非晶硅薄膜(2)上下的两层MgO薄膜(3)，其中一层MgO薄膜(3)附着于玻璃基板(1)上。
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