[发明专利]碳化硅单晶的制造装置有效
| 申请号： | 201010196460.8 | 申请日： | 2010-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101906664A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 小岛淳;木藤泰男;索尼娅·安吉利斯;安布罗焦·佩斯纳提;约瑟夫·塔伦齐 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;LPE股份公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周欣;陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的碳化硅单晶制造装置具备反应容器(10)、配置在反应容器(10)内的晶种(5)和加热容器(9)。晶种(5)被配置在反应容器(10)的上方，从反应容器(10)下方供给原料气体(3)。加热容器(9)相对于反应容器(10)被配置在原料气体(3)的流动路径上游侧。加热容器(9)具备中空筒状部件(9c)、原料气体入口(9a)、原料气体供给喷嘴(9b)和多个挡板(9d～9i)。原料气体入口(9a)向中空筒状部件(9c)内导入原料气体(3)。原料气体供给喷嘴(9b)将原料气体(3)从中空筒状部件(9c)向反应容器(10)中排出。多个挡板(9d～9i)在从原料气体入口(9a)到原料气体供给喷嘴(9b)之间被配置在原料气体(3)的流动路径上。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 装置 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶的制造装置，其具备：反应容器(10)、配置在反应容器(10)内、且由碳化硅单晶基板构成的晶种(5)、对原料气体(3)进行加热的加热容器(9)；晶种(5)被配置在反应容器(10)的上方；碳化硅的原料气体(3)从反应容器(10)的下方供给，到达晶种(5)，在晶种(5)的表面使碳化硅单晶(6)生长；加热容器(9)相对于反应容器(10)被配置在所述原料气体(3)的流动路径上游侧；加热容器(9)具备：中空筒状部件(9c)、原料气体入口(9a)、原料气体供给喷嘴(9b)和多个挡板(9d～9i)；原料气体入口(9a)向中空筒状部件(9c)内导入所述原料气体(3)；原料气体供给喷嘴(9b)从所述中空筒状部件(9c)向所述反应容器(10)中排出原料气体(3)；多个挡板(9d～9i)在从原料气体入口(9a)到原料气体供给喷嘴(9b)之间被配置在原料气体(3)的流动路径上。
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