[发明专利]一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法有效
| 申请号： | 201010196480.5 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101863452A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 郑新和;唐龙娟;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;H01L31/18;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于包括步骤：先对绝缘衬底上的半导体器件光刻并进行第一次台面刻蚀，形成一阶梯状的样品结构；再在阶梯上方的台面制作微结构掩模层；继而进行第二次台面刻蚀，同时刻蚀形成纳米阵列结构。本发明通过两步刻蚀来形成n区(或p区)的台面，由于仅在相对偏高的上台面制作微结构掩模，可以避免刻蚀过程中下台面的电极区产生粗糙的尖峰状凸起，方法简单快捷，普适性强。通过电极区粗糙度的改善，可以增强后续淀积的金属电极的附着，使之不易剥落，提高器件的可靠性，同时也便于后续其它工艺(如键合等)的进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 绝缘 衬底 纳米 阵列 结构 器件 制作 方法 | ||
【主权项】：
一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于包括步骤：(1)、对绝缘衬底上的半导体器件光刻并进行第一次台面刻蚀，形成一阶梯状的样品结构；(2)、在阶梯上方的台面制作微结构掩模层；(3)、进行第二次台面刻蚀，同时刻蚀形成纳米阵列结构。
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