[发明专利]一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法

摘要

本发明涉及一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其包括如下步骤：a、提供连接板与背极板；b、将背极板与连接板键合固定；c、对背极板进行减薄；d、减薄后的背极板上生长绝缘键合层；e、提供基板；f、在基板上生长有绝缘支撑层；g、在基板淀积振膜；h、得到安装槽内的振膜；i、将背极板与基板键合固定；j、刻蚀基板上方的连接板与氧化层；k、在背极板上得到下电极孔；l、在上述背极板上淀积电极层；m、得到位于背极板与振膜上的电极；n、得到位于背极板上的若干声孔；o、刻蚀上述基板对应于设有背极板的另一端，得到位于振膜下方的声腔。本发明灵敏度高、噪声低、频带宽、成品率高，制备工艺简单。

主权项

一种基于硅硅键合工艺的微型麦克风制备方法，其特征是，所述微型麦克风的制备方法包括如下步骤：(a)、提供连接板(1)与背极板(2)，所述连接板(1)与背极板(2)上均生长有氧化层(4)；(b)、将背极板(2)放置在连接板(1)上，所述背极板(2)对应于生长氧化层(4)的表面与连接板(1)上对应于生长有氧化层(4)的表面相接触，背极板(2)与连接板(1)通过对应的氧化层(4)键合固定；(c)、对上述背极板(2)进行刻蚀，使氧化层(4)上方相对应背极板(2)的厚度为4～10μm；(d)、在厚度为4～10μm的背极板(2)上生长有绝缘键合层(11)；(e)、提供基板(3)，并在基板(3)上凹设有安装槽(12)；(f)、在基板(3)对应于设置安装槽(12)的表面及安装槽(12)的内周面上均生长有绝缘支撑层(13)；(g)、在基板(3)对应于生长有绝缘支撑层(13)的表面上淀积振膜(5)；(h)、选择性的掩蔽和刻蚀所述振膜(5)，得到位于安装槽(12)内的振膜(5)；(i)、将背极板(2)放置在基板(3)上，背极板(2)上对应于生长有绝缘键合层(11)表面与基板(3)对应于生长有绝缘支撑层(13)的表面相接触，背极板(2)与基板(3)利用绝缘键合层(11)与绝缘支撑层(13)相键合固定；(j)、刻蚀基板(3)上方的连接板(1)与氧化层(4)，去除背极板(2)上方的连接板(1)与氧化层(4)；(k)、选择性的掩蔽和刻蚀背极板(2)，在背极板(2)上得到下电极孔(6)，所述下电极孔(6)与安装槽(12)相连通，且对应于振膜(5)的一端；(l)、在上述背极板(2)上淀积电极层(15)，所述电极层(15)覆盖在背极板(2)的表面，并填充在下电极孔(6)的底部；(m)、选择性的掩蔽和刻蚀电极层(15)，得到位于背极板(2)与振膜(5)上的电极(7)；(n)、刻蚀振膜(5)上方的背极板(2)，得到位于背极板(2)上的若干声孔(8)，所述声孔(8)位于振膜(5)上方，并与安装槽(12)相连通；(o)、刻蚀上述基板(3)对应于设有背极板(2)的另一端，得到位于振膜(5)下方的声腔(9)；(p)、刻蚀振膜(5)下方的绝缘支撑层(13)，使振膜(5)与声腔(9)相连。