[发明专利]一种内容可寻址存储器无效
| 申请号： | 201010196860.9 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101859596A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 华斯亮;闫浩;杨磊;洪缨;王东辉;侯朝焕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | G11C15/04 | 分类号： | G11C15/04;G11C8/00 |
| 代理公司： | 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 | 代理人： | 杨小蓉;高宇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种内容可寻址存储器，该内容可寻址存储器包括若干内核单元；所述内核单元包括：存储单元和比较电路单元；所述比较电路单元包括一N型MOS晶体管，该N型MOS晶体管串联在输入匹配线和输出匹配线之间，其特征在于，所述比较电路单元还包括一P型MOS晶体管，该P型MOS晶体管的栅极耦合N型MOS晶体管的栅极，该P型MOS晶体管的源极耦合高电平端/该内核单元的输出匹配线，对应地，该P型MOS晶体管的漏极耦合该内核单元的输出匹配线/高电平端。本发明的内核单元的匹配线的充电和放电由搜索信号线和存储数据决定，简化了比较时序和设计复杂度，在一定程度提高了最高工作频率，且通过混连方式使得内容可寻址存储器在访问速度和功耗方面具有优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内容 寻址 存储器 | ||
【主权项】：
一种内容可寻址存储器，该内容可寻址存储器包括若干内核单元；所述内核单元包括：存储单元和比较电路单元；所述比较电路单元包括一N型MOS晶体管，该N型MOS晶体管串联在输入匹配线和输出匹配线之间，其特征在于，所述比较电路单元还包括一P型MOS晶体管，该P型MOS晶体管的栅极耦合N型MOS晶体管的栅极，该P型MOS晶体管的源极耦合高电平端/该内核单元的输出匹配线，对应地，该P型MOS晶体管的漏极耦合该内核单元的输出匹配线/高电平端。
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