[发明专利]集成电路元件有效
申请号: | 201010196907.1 | 申请日: | 2010-06-02 |
公开(公告)号: | CN101908540A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 钟道文;柯博尧;林威仰;庄建祥 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/082 | 分类号: | H01L27/082;H01L29/73;H01L29/06 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪红 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种集成电路元件,包括:一半导体基板,具有一上表面;至少一绝缘区,自该上表面延伸进入该半导体基板;多个基区接触,具有一第一导电型,彼此电性连接;以及多个发射极与多个集电极,具有一第二导电型,与该第一导电型相反。每一所述发射极、所述集电极与所述基区接触通过所述至少一绝缘区彼此侧向分隔。该集成电路元件还包括一埋层,具有该第二导电型,于该半导体基板中,其中该埋层具有一上表面,邻近所述多个集电极的下表面。本发明优点特征包括高电流获得、低芯片使用面积以及低基区电阻。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 元件 | ||
【主权项】:
一种集成电路元件,包括:一半导体基板,具有一上表面;至少一绝缘区,自该上表面延伸进入该半导体基板;多个基区接触,具有一第一导电型,彼此电性连接;多个发射极,具有一第二导电型,与该第一导电型相反,其中所述多个发射极彼此电性连接;多个集电极,具有该第二导电型,彼此电性连接,其中每一所述发射极、所述集电极与所述基区接触通过所述至少一绝缘区彼此侧向分隔;以及一埋层,于该半导体基板中,具有该第二导电型,其中该埋层具有一上表面,邻近所述多个集电极的下表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010196907.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:替诺福韦地索普西的固体形式
- 下一篇:拉米夫定的晶形I及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的