[发明专利]电平移位器

摘要

一种电平移位器，包括具有第一输出节点以及第二输出节点互为互补的闩锁器。第一预充电晶体管具有耦接于正电源供应节点以及第一输出节点之间的源-漏通道。第二预充电晶体管具有耦接于正电源供应节点以及第二输出节点之间的源-漏通道。电平移位器还包括在闩锁器中耦接于信号输入节点、第一NMOS晶体管信号输入节点以及第二NMOS晶体管信号输入节点之间的延迟反相器。该反相器用以使第一和第二预充电晶体管在上述输入信号节点的输入信号各自到达第一和第二NMOS晶体管的栅极之前，各自对第一输出节点以及第二输出节点预充电。本发明的优点特性包括提升切换速度，降低切换噪声，以及缩减芯片使用面积。

主权项

一种电平移位器，包括：一第一正电源供应节点，具有一第一正电源供应电压；一第二正电源供应节点，具有高于上述第一正电源供应电压的一第二正电源供应电压；一信号输入节点；一闩锁器，包括：一第一输出节点以及一第二输出节点，上述第一输出节点以及上述第二输出节点互为互补；一第一PMOS晶体管以及一第一NMOS晶体管，分别具有耦接至上述第一输出节点的漏极；以及一第二PMOS晶体管以及一第二NMOS晶体管，分别具有耦接至上述第二输出节点的漏极；一第一预充电晶体管，包括耦接于上述第二正电源供应节点以及上述第一输出节点之间的一源 漏通道；一第二预充电晶体管，包括耦接于上述第二正电源供应节点以及上述第二输出节点之间的一源 漏通道；以及一第一延迟反相器，耦接于上述信号输入节点与上述第一NMOS晶体管以及上述第二NMOS晶体管的信号输入节点之间，其中上述第一延迟反相器用以在上述输入信号节点的输入信号到达上述第一NMOS晶体管和上述第二NMOS晶体管各自的栅极前，使上述第一预充电晶体管以及上述第二预充电晶体管，对各自上述第一输出节点和上述第二输出节点预充电。