[发明专利]带有压电薄膜的基板有效
| 申请号： | 201010197567.4 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101867014A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 柴田宪治;冈史人 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/09 | 分类号： | H01L41/09;H01L41/187;H01L41/24 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种带有压电薄膜的基板，即便使具有无铅压电体的带有压电薄膜的基板构成的压电元件长期连续进行压电动作后，也能够抑制压电元件的压电常数d31的降低。本发明涉及的带有压电薄膜的基板包括：具有第一热膨胀系数的基板，在规定的成膜条件下成膜、具有第二热膨胀系数且在基板上方形成的通式为(K，Na)NbO3的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电薄膜；形成压电薄膜的基板基于第一热膨胀系数及第二热膨胀系数之差，在室温中的翘曲具有10m以上的曲率半径。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 压电 薄膜 | ||
【主权项】：
一种带有压电薄膜的基板，包括：具有第一热膨胀系数的基板，以及具有第二热膨胀系数的、在规定的条件下在上述基板上方成膜的、通式为(K，Na)NbO3的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电薄膜；形成有上述压电薄膜的上述基板基于上述第一热膨胀系数及上述第二膨胀系数之差，在室温中的翘曲具有10m以上的曲率半径，上述压电薄膜具有0.2μm～10μm的膜厚，上述压电薄膜在(001)面方向、(110)面方向或(111)面方向的任一个上取向，上述压电薄膜是由平均粒径在0.1μm～1.0μm的范围内的(K，Na)NbO3构成。
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