[发明专利]半导体装置的生产方法有效
| 申请号： | 201010197639.5 | 申请日： | 2005-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101924124A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 前川慎志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/10;H01L51/40;G09F9/33 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李进;李连涛 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 考虑到有机TFT的有机半导体层有可能由于水、光、氧气等而受到破坏的问题，本发明的一个目的是简化生产步骤并且提供用来高可靠性地生产具有有机TFT的半导体装置。根据本发明，含有有机材料的半导体层是通过使用掩模形成图案而形成的，因此有机TFT是在掩模没有被除去而是保留在半导体层上的状态下完成的。另外，通过使用保留的掩模可以保护半导体层免受水、光、氧气等的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种显示装置，该显示装置包括：第一柔性基底；第二柔性基底；第一柔性基底和第二柔性基底之间的有机TFT；与所述有机TFT电连接的象素电极；普通电极；和象素电极和普通电极之间的包含带电粒子的微胶囊；其中所述有机TFT包含：栅电极；该栅电极上的栅绝缘膜；该栅绝缘膜上的源电极和漏电极；该源电极和漏电极上的有机半导体膜；和该有机半导体膜上的包含绝缘材料的掩模。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
