[发明专利]半导体装置及该半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010197655.4 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101901838A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 浅野裕治;肥塚纯一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12;H01L21/34;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 朱海煜;徐予红 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中，降低氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻，以使其电特性稳定。还提供该薄膜晶体管的制造方法。在使用氧化物半导体层的薄膜晶体管中，在氧化物半导体层上形成其导电率高于该氧化物半导体层的缓冲层，在该缓冲层上形成源电极层及漏电极层，以使氧化物半导体层与源电极层或漏电极层隔着缓冲层电连接。此外，缓冲层受到反溅射处理及氮气氛中的热处理，形成其导电率高于氧化物半导体层的缓冲层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极层；所述栅电极层上的栅极绝缘层；所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层；所述氧化物半导体层上的第一缓冲层及第二缓冲层；以及所述第一缓冲层及所述第二缓冲层上的源电极层及漏电极层，其中，所述第一缓冲层及所述第二缓冲层的导电率高于所述氧化物半导体层的导电率且所述第一缓冲层及所述第二缓冲层受到反溅射处理及氮气氛中的热处理，并且，所述氧化物半导体层和所述源电极层及所述漏电极层隔着所述第一缓冲层及所述第二缓冲层电连接。
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