[发明专利]包含电阻器的存储单元的制造方法无效
申请号: | 201010198025.9 | 申请日: | 2010-06-03 |
公开(公告)号: | CN102270738A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 刘力锋;康晋锋;郝跃;刘晓彦;陈沅沙;高滨;王漪;韩汝琦 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;C23C16/44 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种包含电阻器的存储单元的制造方法,包括以下步骤:a)在绝缘衬底上形成底电极层;b)通过MOCVD在底电极层上形成阻变材料层;c)在阻变材料上形成顶电极层;以及d)对顶电极层和阻变材料层进行图案化,以形成分隔开的存储单元。利用MOCVD法可以制造厚度、组分精确可控且具有良好均匀性的阻变材料层,从而可以获得界面特性优良的MOM结构的RRAM的存储单元。 | ||
搜索关键词: | 包含 电阻器 存储 单元 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种包含电阻器的存储单元的制造方法,包括以下步骤:a)在绝缘衬底上形成底电极层;b)通过MOCVD在底电极层上形成阻变材料层;c)在阻变材料上形成顶电极层;以及d)对顶电极层和阻变材料层进行图案化,以形成分隔开的存储单元。
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