[发明专利]包含电阻器的存储单元的制造方法无效

专利信息
申请号: 201010198025.9 申请日: 2010-06-03
公开(公告)号: CN102270738A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 刘力锋;康晋锋;郝跃;刘晓彦;陈沅沙;高滨;王漪;韩汝琦 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;C23C16/44
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王波波
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本申请公开了一种包含电阻器的存储单元的制造方法,包括以下步骤:a)在绝缘衬底上形成底电极层;b)通过MOCVD在底电极层上形成阻变材料层;c)在阻变材料上形成顶电极层;以及d)对顶电极层和阻变材料层进行图案化,以形成分隔开的存储单元。利用MOCVD法可以制造厚度、组分精确可控且具有良好均匀性的阻变材料层,从而可以获得界面特性优良的MOM结构的RRAM的存储单元。
搜索关键词: 包含 电阻器 存储 单元 制造 方法
【主权项】:
一种包含电阻器的存储单元的制造方法,包括以下步骤:a)在绝缘衬底上形成底电极层;b)通过MOCVD在底电极层上形成阻变材料层;c)在阻变材料上形成顶电极层;以及d)对顶电极层和阻变材料层进行图案化,以形成分隔开的存储单元。
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