[发明专利]包含电阻器的存储单元的制造方法无效
| 申请号： | 201010198025.9 | 申请日： | 2010-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102270738A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘力锋;康晋锋;郝跃;刘晓彦;陈沅沙;高滨;王漪;韩汝琦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种包含电阻器的存储单元的制造方法，包括以下步骤：a)在绝缘衬底上形成底电极层；b)通过MOCVD在底电极层上形成阻变材料层；c)在阻变材料上形成顶电极层；以及d)对顶电极层和阻变材料层进行图案化，以形成分隔开的存储单元。利用MOCVD法可以制造厚度、组分精确可控且具有良好均匀性的阻变材料层，从而可以获得界面特性优良的MOM结构的RRAM的存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 电阻器 存储 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种包含电阻器的存储单元的制造方法，包括以下步骤：a)在绝缘衬底上形成底电极层；b)通过MOCVD在底电极层上形成阻变材料层；c)在阻变材料上形成顶电极层；以及d)对顶电极层和阻变材料层进行图案化，以形成分隔开的存储单元。
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