[发明专利]光电转换装置及其制造方法和成像装置无效
申请号: | 201010198267.8 | 申请日: | 2010-06-04 |
公开(公告)号: | CN101908574A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 三井哲朗;野村公笃;滨野光正 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/028;H01L31/18;H01L27/146;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;H01L27/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种光电转换装置及其制造方法和成像装置。一种光电转换装置,其包括:导电膜;光电转换膜;和透明导电膜,其中所述光电转换膜含有富勒烯或富勒烯衍生物和光电转换材料,所述光电转换材料具有至少满足下列条件(A)或(B)的吸收光谱:(A):λM1<λL1且λM2<λL2;(B):λM1<λL1且Δ|λM1-λL1|>Δ|λM2-λL2|,其中λL1,λL2,λM1和λM2是在400至800nm的波长范围内最大吸收强度的1/2的吸收强度处的波长,λL1和λL2各自表示当所述光电转换材料溶解在氯仿中时在氯仿溶液光谱中的波长,并且λM1和λM2各自表示在所述光电转换材料单独的薄膜吸收光谱中的波长,条件是λL1<λL2且λM1<λM2。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 及其 制造 方法 成像 | ||
【主权项】:
一种光电转换装置,其包括:导电膜;光电转换层;和透明导电膜,其中所述光电转换层含有富勒烯或富勒烯衍生物和光电转换材料,所述光电转换材料具有至少满足下列条件(A)或(B)的吸收光谱:(A):λM1<λL1且λM2<λL2(B):λM1<λL1且Δ|λM1 λL1|>Δ|λM2 λL2|其中λL1,λL2,λM1和λM2是在400至800nm的波长范围内最大吸收强度的1/2的吸收强度处的波长,λL1和λL2各自表示当所述光电转换材料溶解在氯仿中时在氯仿溶液光谱中的波长,并且λM1和λM2各自表示在所述光电转换材料单独的薄膜吸收光谱中的波长,条件是λL1<λL2且λM1<λM2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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