[发明专利]放射线敏感性组合物、保护膜、层间绝缘膜以及它们的形成方法有效

专利信息
申请号: 201010198420.7 申请日: 2010-06-07
公开(公告)号: CN101907828A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 上田二朗;高濑英明;藤冈昌泰;露木亮太 申请(专利权)人: JSR株式会社
主分类号: G03F7/075 分类号: G03F7/075;G02F1/1362;G03F7/00
代理公司: 北京三幸商标专利事务所 11216 代理人: 刘激扬
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及放射线敏感性组合物、保护膜、层间绝缘膜以及它们的形成方法。所述放射线敏感性组合物可以形成透明性、耐热性等优异,同时对ITO基板密合性以及耐裂性高的保护膜和层间绝缘膜,而且具有足够分辨率。本发明的放射线敏感性组合物包括:[A]硅氧烷聚合物,[B]选自由式(1)和(3)分别表示的化合物构成的群组中的至少一种硅烷化合物,以及[C]放射线敏感性酸产生剂或放射线敏感性碱产生剂。[A]硅氧烷聚合物优选为式(4)的水解性硅烷化合物的水解缩合物。还可以进一步含有[D]脱水剂。作为[C]放射线敏感性酸产生剂优选使用选自由三苯基锍盐和四氢噻吩鎓盐构成的群组中的至少一种。(R1O)3Si-R2-Si(OR3)3 (1)(R7)q-Si-(OR8)4-q (4)
搜索关键词: 放射线 敏感性 组合 保护膜 绝缘 以及 它们 形成 方法
【主权项】:
1.一种放射线敏感性组合物,其包括:[A]硅氧烷聚合物,[B]选自由下式(1)和(3)分别表示的化合物构成的群组中的至少一种硅烷化合物,以及[C]放射线敏感性酸产生剂或放射线敏感性碱产生剂;(R1O)3Si-R2-Si(OR3)3          (1)式(1)中,R1和R3各自独立地是碳原子数为1~4的烷基,R2是碳原子数为1~6的亚烷基、亚苯基或式(2)所示的基团,式(2)中,a是1~4的整数,式(3)中,R4、R5和R6各自独立地是碳原子数为1~4的烷基,b、c和d各自独立地是1~6的整数。
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