[发明专利]一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列及其制备方法

摘要

本发明公布了一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列及其制备方法，所述微阵列包括蓝宝石LED外延片、GaN列矩阵隔离结构、InGaN/GaN量子阱薄膜层、有源区、N型欧姆接触、P型欧姆接触、光线反射金属层、金属互连引线、以及支撑硅电极。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构的列单元和能放置LED字线金属引线的台面结构，然后分别电子束蒸发不同金属形成N型和P型欧姆接触，形成光线反射金属层，并用PECVD淀积二氧化硅作为钝化层；在LED阵列引线外接区域电子束蒸发金属形成LED阵列的倒装焊压焊结构；随后在硅衬底裸片的隔离氧化层上完成金属铝线图形化Al并淀积二氧化硅钝化层，最后采用倒装焊技术实现对接。

主权项

一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列，其特征在于包括LED蓝宝石外延片(1)、GaN列矩阵隔离结构(2)、N型欧姆接触引线(4)、InGaN/GaN量子阱薄膜层(5)、有源区(6)、P型欧姆接触(7)、光线反射层(8)以及支撑硅电极，其中支撑硅电极包括硅圆片(12)、SiO2隔离层(13)、金属引线(14)、低温淀积氧化层(15)、反溅射Ti/Au金属层(16)和电镀Au金属层(17、18)；以LED蓝宝石外延片(1)为衬底，GaN列矩阵层(2)设置于衬底上，InGaN/GaN薄膜层(5)设置于GaN列矩阵层(2)上，有源区(6)设置于InGaN/GaN薄膜层(5)上，采用干法刻蚀GaN列矩阵层(2)形成多个GaN列矩阵单元，采用干法刻蚀InGaN/GaN薄膜层(5)得到N‑GaN导电层(3)，GaN列矩阵单元的N‑GaN导电层(3)上设置欧姆接触引线(4)，在有源区(6)上形成P型欧姆接触(7)，在P型欧姆接触(7)上设置光线反射层(8)，在以上各部件上设置SiO2钝化层(9)，欧姆接触引线(4)和光线反射层(8)的引线外接区域设置反溅射Ti/Au层(10)，反溅射Ti/Au层(10)上设置Au层(11)；SiO2隔离层(13)设置于硅圆片(12)上，SiO2隔离层(13)上与GaN列矩阵单元对应设置金属位引线(14)，金属引线(14)上设置低温淀积氧化层(15)，反溅射Ti/Au金属层(16)设置于引线外接的压焊区域(14)上，Au金属层设置于反溅射Ti/Au金属层(16)上。