[发明专利]从施主衬底到处理衬底的层转移方法

摘要

本发明涉及一种从施主衬底到处理衬底的层转移方法，其中在分离后，施主衬底的剩余部分被再利用。为除去由于衬底的倒角几何形状而形成的不想要的突出边缘区域，本发明提出在分离发生前实施附加的刻蚀工艺。

主权项

一种从施主衬底到处理衬底进行层转移并对该施主衬底的表面进行回收再利用的方法，该方法包括以下步骤：a)提供分别具有倒角边缘区域的施主衬底和处理衬底，该施主衬底具体地为半导体衬底，b)在所述施主衬底内以深度h形成预定分割区，c)对所述施主衬底和所述处理衬底进行附接以得到施主—处理复合体，该附接具体地通过键合实现，其中在所述施主衬底和所述处理衬底二者的倒角边缘区域内，在两个衬底之间没有发生附接，然后d)对所述倒角区域进行刻蚀，使得在未发生附接的区域中从所述施主衬底至少去除厚度约h的层，具体而言去除厚度大于h的层，然后e)使得所述施主衬底的剩余部分与施主—处理衬底分离，其中在所述预定分割区发生分离，以及f)对所述施主衬底的所述剩余部分进行再利用，具体而言在表面处理步骤之后对所述施主衬底的所述剩余部分进行再利用。