[发明专利]利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法及样品保持器有效

专利信息
申请号: 201010199933.X 申请日: 2010-06-10
公开(公告)号: CN102279157A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 李魁然;赖君义;洪维松 申请(专利权)人: 私立中原大学
主分类号: G01N21/25 分类号: G01N21/25;G01N21/01
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾桃*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是有关于一种利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法及样品保持器,是一种利用正子消散光谱术量测薄膜在湿式状态下的特性的方法及其样品保持器,已知正子消散时间光谱术(positron??annihilationlifetime??spectroscopy)可用于研究各种材料的局部自由体积孔洞性质(local??free-volume??hole??property),借由本发明的方法及其样品保持器,可量测薄膜在干式及湿式状态下的自由体积及其层构造。
搜索关键词: 利用 消散 光谱 术量测 薄膜 特性 方法 样品 保持
【主权项】:
一种利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法,是量测薄膜在湿式状态下的特性的方法,其特征在于包含以下步骤:提供一待测薄膜,具有一第一表面与一第二表面;对该薄膜的该第一表面进行一电浆聚合程序,于薄膜的该第一表面形成一玻璃状保护层;将形成有该玻璃状保护层的薄膜固定于一样品保持器上,使该薄膜的该第一表面露出,且使该薄膜的该第二表面被真空密封于该样品保持器内;将一液体经由该样品保持器的一注入口,注入该样品保持器,使该液体与该薄膜的该第二表面接触;密封该注入口后,将该样品保持器放入一正子消散光谱仪的真空系统中;以及使该正子消散光谱仪的正子束冲击该玻璃状保护层,以量测该薄膜的特性;其中该玻璃状保护层具有真空密封的性质,该液体不会经由该玻璃状保护层渗透入该真空系统中。
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