[发明专利]一种纳米WS2/MoS2颗粒的制备方法无效
申请号: | 201010200269.6 | 申请日: | 2010-06-13 |
公开(公告)号: | CN101857274A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 毛大恒;石琛;毛向辉;毛艳;李登伶 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C01G41/00 | 分类号: | C01G41/00;C01G39/06;B82B3/00 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人: | 颜勇 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种纳米WS2/MoS2颗粒的制备方法,包括以下步骤:1、超声球磨:将球磨介质、微米级WS2或MoS2颗粒、去离子水按质量比为(10~15)∶1∶(3~6)混合,在超声波作用下球磨;2、冷冻干燥:将超声球磨所得粉浆真空冷冻干燥,即制备出纳米级WS2或MoS2颗粒。本发明制备出的纳米级WS2或MoS2颗粒具有片层状结构,长、宽尺寸为80nm~500nm,厚度尺寸为20nm~60nm,平均粒度为70nm~120nm。本发明工艺简单,生产效率高,产品成本低,可实现工业化制备纳米级WS2或MoS2颗粒;适应于具有层状结构的非金属粉末的超细化制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 ws sub mos 颗粒 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米WS2/MoS2颗粒的制备方法,包括以下步骤:第一步:超声球磨将球磨介质、微米级WS2或MoS2颗粒、去离子水按质量比为(10~15)∶1∶(3~6)混合,在超声波作用下球磨;第二步:冷冻干燥将第一步所得粉浆真空冷冻干燥,即制备出纳米级WS2或MoS2颗粒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学,未经中南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010200269.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法