[发明专利]纳米压印方法无效
| 申请号： | 201010200766.6 | 申请日： | 2010-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102279517A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;金元浩 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种纳米压印方法，其包括以下步骤：步骤a，提供一基底和一个表面具有纳米图形的模板，所述基底的一表面形成有有机第一抗蚀层；步骤b，通过压印抗蚀剂HSQ贴合所述基底和模板；步骤c，通过在该基底和模板施加压力，将模板表面的纳米图形复制到所述第二抗蚀层，在所述第二抗蚀层形成包括多个凸部及多个凹槽的纳米图形；以及步骤d，将所述第二抗蚀层上的纳米图形转移至基底，在所述基底表面形成纳米图形。本发明提供的纳米压印方法工艺简单，成本较低，获得的纳米图形的图保真度好，分辨率高。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 压印 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米压印方法，其包括以下步骤：步骤a，提供一基底和一个表面具有纳米图形的模板，所述基底的一表面形成有有机第一抗蚀层；步骤b，通过压印抗蚀剂HSQ贴合所述基底和模板，贴合时所述压印抗蚀剂HSQ直接接触所述模板的具有纳米图形的表面，并将压印抗蚀剂HSQ夹持于该基底的抗蚀层与所述模板的所述表面之间，以形成第二抗蚀层；步骤c，在室温下、通过在该基底和模板施加压力，将模板表面的纳米图形复制到所述第二抗蚀层，在所述第二抗蚀层形成纳米图形；以及步骤d，将所述第二抗蚀层上的纳米图形转移至基底，在所述基底表面形成纳米图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010200766.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
