[发明专利]用单个掩模制造至少一个微元件的方法无效
申请号: | 201010201056.5 | 申请日: | 2010-06-09 |
公开(公告)号: | CN101924235A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 史蒂夫·马丁;尼古拉斯·杜诺耶;萨米·奥卡希;拉菲尔·萨洛特 | 申请(专利权)人: | 原子能和代替能源委员会 |
主分类号: | H01M10/04 | 分类号: | H01M10/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了用单个掩模制造至少一个微元件的方法。该微元件例如微电池,包括具有在基板上的至少两个叠置的层的叠层,掩模(6)在温度效应下能够膨胀。掩模(6)包括至少一个偏离中心的开口(7)。掩模在第一温度(T1)下,通过掩模(6a)的开口(7a)沉积第一层。掩模在高于第一温度(T1)的第二温度(T2)下,通过掩模(6b)的开口(7b)沉积第二层。最后,掩模在高于第二温度(T2)的第三温度(T3)下,通过掩模(6c)的开口(7c)沉积第三层。 | ||
搜索关键词: | 单个 制造 至少 一个 元件 方法 | ||
【主权项】:
制造至少一个微元件的方法,包括:在基板(2)上的至少一个叠层(1),每个叠层包括至少两层,第一层以第一图案被沉积且第二层以第二图案被沉积,所述第二图案不同于所述第一图案且至少部分覆盖所述第一图案,其特征在于:通过相同的掩模(6)的相同的开口(7)连续沉积所述叠层(1)中的一个的所述不同层,所述掩模被加热到第一温度(T1)以形成所述第一图案,且被加热到不同于所述第一温度的第二温度(T2)以形成所述第二图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于原子能和代替能源委员会,未经原子能和代替能源委员会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010201056.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。