[发明专利]用单个掩模制造至少一个微元件的方法无效

专利信息
申请号: 201010201056.5 申请日: 2010-06-09
公开(公告)号: CN101924235A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: 史蒂夫·马丁;尼古拉斯·杜诺耶;萨米·奥卡希;拉菲尔·萨洛特 申请(专利权)人: 原子能和代替能源委员会
主分类号: H01M10/04 分类号: H01M10/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明公开了用单个掩模制造至少一个微元件的方法。该微元件例如微电池,包括具有在基板上的至少两个叠置的层的叠层,掩模(6)在温度效应下能够膨胀。掩模(6)包括至少一个偏离中心的开口(7)。掩模在第一温度(T1)下,通过掩模(6a)的开口(7a)沉积第一层。掩模在高于第一温度(T1)的第二温度(T2)下,通过掩模(6b)的开口(7b)沉积第二层。最后,掩模在高于第二温度(T2)的第三温度(T3)下,通过掩模(6c)的开口(7c)沉积第三层。
搜索关键词: 单个 制造 至少 一个 元件 方法
【主权项】:
制造至少一个微元件的方法,包括:在基板(2)上的至少一个叠层(1),每个叠层包括至少两层,第一层以第一图案被沉积且第二层以第二图案被沉积,所述第二图案不同于所述第一图案且至少部分覆盖所述第一图案,其特征在于:通过相同的掩模(6)的相同的开口(7)连续沉积所述叠层(1)中的一个的所述不同层,所述掩模被加热到第一温度(T1)以形成所述第一图案,且被加热到不同于所述第一温度的第二温度(T2)以形成所述第二图案。
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