[发明专利]银纳米线阵列电极及其制备方法和用途无效
| 申请号： | 201010201330.9 | 申请日： | 2010-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102267682A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 孙利;许伟;张立德;黄竹林;袁志刚;张俊喜;刘思思 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;G01N27/403;C25D11/12;C23C14/24;C23C14/18 |
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| 地址： | 230031*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种银纳米线阵列电极及其制备方法和用途。电极为构成阵列的银纳米线的直径为50～70nm、线长为250～350nm，阵列底部依次为130～170nm的银膜和0.5～1mm的铜膜；方法为先对铝片使用二次阳极氧化法获得孔直径为50～70nm的通孔氧化铝模板，再使用离子溅射法于氧化铝模板的一面蒸镀银膜，接着，先将一面带有银膜的氧化铝模板置于银电解液中，使用电沉积法于0.08～0.12V的恒定电压下电沉积1～5min，再将其置于铜电解液中，使用电沉积法于8～12mA/cm2的电流下电沉积2.5～3.5h，之后，将孔洞中置有银纳米线、一面依次覆有银膜和铜膜的氧化铝模板置于酸溶液或强碱溶液中腐蚀掉氧化铝模板，制得银纳米线阵列电极。阵列电极可作为敏感元件用于痕量检测或还原卤族有机物。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 电极 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种银纳米线阵列电极，包括银纳米线阵列和其底部的银膜，其特征在于：所述构成阵列的银纳米线的线直径为50～70nm、线长度为250～350nm；所述银纳米线阵列底部的银膜之下覆有铜膜，所述银膜的厚度为130～170nm，所述铜膜的厚度为0.5～1mm。
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