[发明专利]垂直磁记录介质及其制造和相应的磁存储装置有效
| 申请号： | 201010202485.4 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN101923864A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 殿冈俊;荒井礼子;中川宏之;棚桥究 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/667 | 分类号： | G11B5/667;G11B5/738 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张焕生;谢丽娜 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 垂直磁记录介质及其制造和相应的磁存储装置。根据一个实施方案，垂直磁记录介质包括在衬底上方的至少一个软磁性底层；在所述至少一个软磁性底层上方的晶种层；在所述晶种层上方的中间层；在所述中间层上方的磁记录层；以及在所述磁记录层上方的保护层，其中所述晶种层包括在第一晶种层上方的第二晶种层。在另一个实施方案中，所述晶种层为至少两个周期的层积膜单元的层积结构，所述层积膜单元包括第一晶种层和第二晶种层。所述第一晶种层包括具有面心立方(FCC)结构的非磁性合金，以及所述第二晶种层包括具有FCC结构的软磁性合金。根据更多的实施方案，还公开了其他结构。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 及其 制造 相应 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种垂直磁记录介质，包括：至少一个软磁性底层，所述至少一个软磁性底层在衬底上方；晶种层，所述晶种层在所述至少一个软磁性底层上方；中间层，所述中间层在所述晶种层上方；磁记录层，所述磁记录层在所述中间层上方；以及保护层，所述保护层在所述磁记录层上方，其中所述晶种层包括在第一晶种层上方的第二晶种层，其中所述第一晶种层包括具有面心立方(FCC)结构的非磁性合金，以及其中所述第二晶种层包括具有FCC结构的软磁性合金。
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