[发明专利]制造大功率半导体模块的方法和大功率半导体模块有效
申请号: | 201010202629.6 | 申请日: | 2010-06-09 |
公开(公告)号: | CN101924044A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 彼得·贝克达尔;马库斯·克内贝尔;汤姆斯·施托克迈尔 | 申请(专利权)人: | 赛米控电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L21/60;H01L23/055;H01L23/32 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 车文;樊卫民 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 一种制造大功率半导体模块的方法和大功率半导体模块,该大功率半导体模块具有衬底、连接装置和负载连接件,大功率半导体构件设置在衬底的导体带上并借助连接装置与负载连接件连接。此外,大功率半导体模块具有可与外部的印制电路板连接的辅助接触连接面。在这里,主要的制造步骤是,将第一导体带的各第一接触面与大功率半导体构件的至少一个第二接触面和负载连接件的至少一个第三接触面同时或者顺次进行材料配合的连接;随后将由至少一个大功率半导体构件、连接装置和负载连接件组成的复合体设置成大功率半导体模块的壳体。所述大功率半导体模块适合于统一的制造工艺,具有机械稳定的负载连接件并满足依据IEC 61287关于空气隙和爬电距离的要求。 | ||
搜索关键词: | 制造 大功率 半导体 模块 方法 | ||
【主权项】:
用于制造大功率半导体模块的方法,所述大功率半导体模块具有衬底(10)、连接装置(40)和大量负载连接件(50),其中,至少一个大功率半导体构件(20)设置在所述衬底(10)的导体带(14)上并适于电路地借助所述连接装置(40)与至少一个负载连接件(50)连接,并且其中,所述连接装置(40)具有能与外部的印制电路板(60)连接的辅助接触连接面(460),其特征在于如下主要制造步骤:·提供衬底(10)和连接装置(40),所述连接装置(40)至少由具有结构化的第一导电金属箔(42)、电绝缘箔(44)和结构化的第二导电金属箔(46)的层序列形成,其中,各结构化部形成由各金属箔构成的第一导体带和第二导体带;·将所述第一导体带(42)的各第一接触面(420)与大功率半导体构件(20)的至少一个第二接触面(200)和负载连接件(50)的至少一个第三接触面(500)同时或者顺次进行材料配合的连接;·将由至少一个大功率半导体构件(20)、连接装置(40)和负载连接件(50)组成的复合体设置成所述大功率半导体模块的壳体(30)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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