[发明专利]涂敷及显影装置、涂敷及显影方法有效
申请号: | 201010202685.X | 申请日: | 2008-08-28 |
公开(公告)号: | CN101872717A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 原圭孝;香月信吾 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;G03F7/20;H01L21/677 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;李家麟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及涂敷以及显影装置、涂敷以及显影方法,提供一种能够抑制在对基板进行处理的各模块间进行基板输送的输送机构的输送速度,抑制基板的输送精度下降的涂敷及显影装置。其中,设置了多个的各抗蚀剂膜形成块的抗蚀剂膜形成用输送单元相互独立,在该块内进行各种处理的模块之间输送基板,处理块运入用输送单元将基板一枚一枚地顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送,并且曝光装置运入用输送单元以向抗蚀剂膜形成块的运入用交接台输送的顺序,将运入各抗蚀剂膜形成块的缓冲模块的基板运入曝光装置。与为了实现同等的生产能力在一个抗蚀剂膜形成块中设置多个或许多同种的模块的情况相比,能够抑制抗蚀剂膜形成用单元的负荷。 | ||
搜索关键词: | 显影 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种涂敷及显影装置,其特征在于,具备:载具块,通过载具运入基板;处理块,交接被运入上述载具块的上述基板,并且对上述基板形成包含抗蚀剂膜的涂敷膜;以及界面块,将通过上述处理块形成了上述涂敷膜的上述基板输送到曝光装置,上述处理块具有:分别配置于上述载具块与上述界面块之间的多个抗蚀剂膜形成块;以及配置于上述载具块与上述界面块之间的显影处理块,在上述载具块上设置有将来自上述载具的上述基板向各抗蚀剂膜形成块输送的处理块运入用输送单元,在上述界面块上设置有用于将上述基板运入上述曝光装置并且从上述曝光装置运出上述基板而向上述显影处理块传送的曝光装置运入用输送单元,上述处理块运入用输送单元将来自上述载具的上述基板一枚一枚顺序地周期地向各抗蚀剂膜形成块输送,并且上述曝光装置运入用输送单元以通过上述处理块运入用输送单元向各抗蚀剂膜形成块输送的顺序,将上述基板从各抗蚀剂膜形成块运入上述曝光装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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