[发明专利]半导体激光二极管、打印头和成像装置无效
| 申请号： | 201010202788.6 | 申请日： | 2010-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101924327A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 崔安植;权五大;刘载焕;金煐千;蔡光炫;金昶勋;申美香 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;浦项工科大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;B41J2/455;G03G15/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光二极管、打印头和成像装置。本发明提供了一种半导体激光二极管以及包括该半导体激光二极管的打印头和成像装置。该半导体激光二极管包括凹凸图案，并发射具有高斯光强度分布的光。通过将该半导体激光二极管应用于打印头和成像装置而提供了高质量的图像。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 打印头 成像 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光二极管，包括：谐振腔，包括n型分布布拉格反射器、p型分布布拉格反射器以及设置在所述n型分布布拉格反射器与所述p型分布布拉格反射器之间的有源层；和凹凸图案，具有凸部分和凹部分并包括在所述谐振腔的周边上。
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