[发明专利]覆晶发光二极管晶粒及其晶粒阵列无效
| 申请号： | 201010202884.0 | 申请日： | 2010-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN102280553A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 杨秋忠;林苏宏;黄建盛;沈志秋;许明华;杨凯任 | 申请（专利权）人： | 杨秋忠 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾台中市南*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种覆晶发光二极管晶粒及其晶粒阵列，该覆晶发光二极管晶粒包括一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层、一第一电极层、一第二电极层及一绝缘层。第二型掺杂半导体层铺设于第一型掺杂半导体层的底面，第一电极层铺设于第一型掺杂半导体层的底面且不接触第二型掺杂半导体层，而且具有一裸露面积以供直接涂布一导电接合剂。第二电极层铺设于第二型掺杂半导体层的底面，且具有一裸露面积以供直接涂布导电接合剂。绝缘层则位于第一电极层与第二电极层间，以电性隔离且支撑第一电极层与第二电极层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 阵列 | ||
【主权项】：
一种覆晶发光二极管晶粒，其特征在于，包括：一第一型掺杂半导体层；一第二型掺杂半导体层，铺设于该第一型掺杂半导体层的底面；一第一电极层，铺设于第一型掺杂半导体层的底面且不接触该第二型掺杂半导体层，且具有一裸露面积以供直接涂布一导电接合剂；一第二电极层，铺设于第二型掺杂半导体层的底面，且具有一裸露面积以供直接涂布该导电接合剂；以及一绝缘层，位于该第一电极层与该第二电极层间，以电性隔离且支撑该第一电极层与该第二电极层。
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