[发明专利]一种环形结构的制作方法

摘要

本发明涉及一种环形结构的制作方法，其特征在于：首先提供一前端器件层，在前端器件层上依次形成结构层、保护层、掩膜层、底部抗反射层和带有圆孔图案的光刻胶层；将圆孔图案转移到掩膜层，在掩膜层上沉积侧壁层，刻蚀掉顶部掩膜层上圆孔周围及其内侧的侧壁层，再以由侧壁层形成的圆环为掩膜，对保护层和结构层进行刻蚀，使结构层成为环形结构。本发明能够实现利用现有生产线生产内径仅为几十纳米、外径100纳米左右的圆环形结构。当利用本发明的方法制作MRAM的纳米环磁通道结时，可以得到尺寸较小的纳米环磁通道结，进而解决了对MRAM执行写操作时功耗较大的问题。本发明可广泛应用于磁性随机存取存储器的磁通道结的制作工艺中。

主权项

一种环形结构的制作方法，其特征在于包括：步骤(1)提供前端器件层，在所述前端器件层上形成结构层，在所述结构层上形成掩膜层，在所述掩膜层上形成底部抗反射层，在所述底部抗反射层上形成带有圆孔图案的光刻胶层；步骤(2)以所述带有圆孔图案的光刻胶层为掩膜对所述底部抗反射层及所述掩膜层进行刻蚀，以在所述掩膜层中形成圆孔；步骤(3)在所述掩膜层中的圆孔的内侧形成环形侧壁层；步骤(4)刻蚀掉剩余的所述掩膜层，保留所述环形侧壁层；和步骤(5)以所述环形侧壁层为掩膜，对所述结构层进行刻蚀，以使所述结构层成为所述环形结构，并剥离所述环形侧壁层。