[发明专利]双分离栅快闪存储阵列的编程方法有效
| 申请号： | 201010203952.5 | 申请日： | 2010-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN102280140A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双分离栅快闪存储阵列的编程方法，包括：将目标存储单元的中间电极充电至字线电压，将所述目标存储单元的第一存储位对应的控制栅极充电至控制栅编程电压，将其他控制栅极充电至控制栅预编程电压，所述控制栅编程电压大于所述控制栅预编程电压；将所有位线充电至位线预编程电压；在第一位线和第二位线之间形成电流，所述第一位线连接所述第一存储位的位线电极，所述第二位线连接所述目标存储单元的另一存储位的位线电极，并保持共用该位线的相邻列的存储单元连接的另一位线的电压与所述第二位线的电压一致。本发明改善了双分离栅快闪存储阵列的编程质量。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 闪存 阵列 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种双分离栅快闪存储阵列的编程方法，所述双分离栅快闪存储阵列包括多个阵列排布的存储单元，各存储单元分别包括第一存储位和第二存储位，每列存储单元连接两条相邻的位线，相邻两列存储单元共用同一位线，其特征在于，包括：将目标存储单元的中间电极充电至字线电压，将所述目标存储单元的第一存储位对应的控制栅极充电至控制栅编程电压，将其他控制栅极充电至控制栅预编程电压，所述控制栅编程电压大于所述控制栅预编程电压；将所有位线充电至位线预编程电压；在第一位线和第二位线之间形成电流，所述第一位线连接所述目标存储单元的第一存储位的位线电极，所述第二位线连接所述目标存储单元的第二存储位的位线电极，并保持共用所述第二位线的相邻列的存储单元连接的另一位线的电压与所述第二位线的电压一致。
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