[发明专利]一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法无效
申请号: | 201010205734.5 | 申请日: | 2010-06-14 |
公开(公告)号: | CN101844771A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 李文翠;孙涛 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C01B33/16 | 分类号: | C01B33/16 |
代理公司: | 大连八方知识产权代理有限公司 21226 | 代理人: | 卫茂才 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种以无机硅源或有机硅源为原料,常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法,其步骤为:首先以无机硅源或有机硅源为原料,与溶剂和催化剂混合后,经溶胶凝胶过程制得湿凝胶,所得湿凝胶再经陈化、溶剂置换、表面修饰和常压干燥等过程得到低密度、高比表、超疏水性的二氧化硅气凝胶。本发明实现了湿凝胶的常压干燥,避免了采用传统的超临界干燥时的设备投入,大大提高了生产的安全性,而且操作简单,产品的性能优良、可控,适合规模化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 压下 制备 疏水 二氧化硅 凝胶 方法 | ||
【主权项】:
一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法,其特征在于,该方法是以无机硅源或有机硅源作为原料,首先配制一定比例硅源和溶剂的混合溶液,然后再用一步酸催化或酸、碱两步催化制得凝胶,所得凝胶陈化一段时间后,经溶剂置换,硅烷基的表面修饰剂修饰使二氧化硅凝胶表面疏水,再经过常压干燥得到疏水性的二氧化硅气凝胶,该方法包括以下步骤:(1)将无机硅源或有机硅源与溶剂混合,无机硅源所占混合溶液的质量比在5-40%范围内,有机硅源所占混合溶液的质量比在2-30%范围内,然后在混合均匀的溶液中加入酸,采用无机硅源时,调节pH值为1-6;采用有机硅源时,混合液再用碱性溶液调节pH值为4-7;静置时间为2-10小时,静置温度为15-80℃;(2)待上述溶液变为凝胶后,陈化2-12小时,然后加入溶剂进行置换和用表面修饰剂进行表面修饰;(3)常压干燥后即得二氧化硅气凝胶,常压干燥温度为80-200℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010205734.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种低铝硅比拜耳法赤泥的炉料烧结方法
- 下一篇:四导轨两套安全钳液压汽车电梯