[发明专利]一种制备GaN纳米线的方法

摘要

本发明公开的一种制备GaN纳米线的方法，首先制备镓源凝胶前驱体粉末；然后将衬底清洗后放入质量浓度为2%~8%的Ni(NO3)2酒精溶液中，浸泡8~18小时，在温度为90~110℃条件下烘干备用；将前躯体粉末和烘干后的衬底放入清洁的石英舟内，将石英舟置于电阻炉的恒温区，向电阻炉内通入流量为500ml/min的氮气，然后按照升温制度进行加热，即完成在衬底上制备GaN纳米线。本发明制备GaN纳米线的方法，采用溶胶-凝胶法和CVD法相结合，设备简单、反应效率高、成本低，是一种有效、快速合成GaN纳米线的好方法。

主权项

一种制备GaN纳米线的方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1：制备镓源凝胶前驱体粉末将质量浓度为68%的分析纯硝酸与质量浓度为37%的分析纯盐酸按照体积比为1：1混合得到混合酸溶液，按照质量比为5:78称取金属镓及混合酸溶液，将金属镓加入到混合酸溶液中，反应直至金属镓完全溶解，得到溶解了镓的酸溶液，向溶解了镓的酸溶液中缓慢添加浓氨水，将PH值调节为7.2~8；然后缓慢向溶解了镓的酸溶液中添加柠檬酸，直至溶液中形成溶胶；然后持续加热1~3小时，冷却后得到褐色凝胶；将褐色凝胶在380~420℃条件下煅烧1~3小时，得到灰黑色多层状产物，将灰黑色多层状产物进行研磨，得到镓源凝胶前驱体粉末；步骤2：制备GaN纳米线将衬底清洗后放入质量浓度为2%~8%的Ni(NO3)2酒精溶液中，浸泡8~18小时，在温度为90~110℃条件下烘干，将步骤1得到的前躯体粉末和烘干后的衬底放入石英舟内，将石英舟置于电阻炉的恒温区，向电阻炉内通入流量为500ml/min的氮气，然后按照升温制度进行加热，即完成在衬底上制备GaN纳米线。