[发明专利]具有双温度区的静电吸盘的衬底支架有效
申请号: | 201010206797.2 | 申请日: | 2007-04-27 |
公开(公告)号: | CN101887865A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 亚历山大·马特尤什金;丹尼斯·库索;西奥多洛斯·帕纳戈波洛斯;约翰·荷文 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种在衬底处理腔室中用于容纳衬底的静电吸盘,包括具有衬底容纳表面和具有多个隔开的台面的相对的背面的陶瓷圆盘。电极嵌入在陶瓷圆盘中以产生静电力以保持衬底。位于陶瓷圆盘的外围和中心部分的加热线圈允许对陶瓷圆盘的中心和外围部分进行温度独立控制。通过具有容纳空气的凹槽的底座支撑吸盘。吸盘和底座协作以允许在腔室中调整衬底的温度分布。 | ||
搜索关键词: | 具有 温度 静电 吸盘 衬底 支架 | ||
【主权项】:
一种用于在处理腔室中容纳衬底的静电吸盘,所述静电吸盘包括:a)陶瓷圆盘,包括:i)衬底容纳表面,具有多个台面的突起平台,所述突起平台由凹槽图案分开;ii)多个热传送气体导管,穿过所述陶瓷圆盘并且在衬底容纳表面上所述凹槽图案的外围端口及中心端口终止,所述气体导管能够为所述衬底容纳表面的不同区域提供热传送气体;以及iii)外围壁架,具有第一台阶和第二台阶,所述第二台阶从第一台阶径向向外并且比所述第一台阶低;b)电极,嵌在所述陶瓷圆盘中以产生静电力从而保持设置在所述衬底容纳表面上的衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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