[发明专利]存储器无效
| 申请号： | 201010207322.5 | 申请日： | 2010-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101930988A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 鹿野博司;肥后丰;山元哲也;大森广之;细见政功;楠真一郎;大石雄纪;山根一阳;别所和宏;五十岚实 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种存储器，包括多个存储设备，每个存储设备都包括隧道磁阻效应器件，该隧道磁阻效应器件包含：磁化自由层，其中，磁化方向能够被反转；隧道阻挡层，包括绝缘材料；以及磁化固定层，相对于所述磁化自由层介由所述隧道阻挡层进行设置，具有固定的磁化方向。该存储器还包括：随机存取存储区，其中，使用存储设备的磁化自由层的磁化方向来记录信息；以及只读存储区，其中，根据存储设备的隧道阻挡层是否存在击穿来记录信息。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储器，包括：多个存储设备，每个存储设备都包括隧道磁阻效应器件，所述隧道磁阻效应器件包含：磁化自由层，其中，磁化方向能够反转，隧道阻挡层，包括绝缘材料，以及磁化固定层，相对于所述磁化自由层介由所述隧道阻挡层进行设置，具有固定的磁化方向；随机存取存储区，其中，使用所述存储设备的所述磁化自由层的所述磁化方向来记录信息；以及只读存储区，其中，根据所述存储设备的所述隧道阻挡层是否存在击穿来记录信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
