[发明专利]静电放电保护电路、结构及射频接收器有效
| 申请号： | 201010207484.9 | 申请日： | 2010-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN102163840A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 柯明道;林群祐 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/00 | 分类号： | H02H9/00;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种静电放电保护电路、结构及射频接收器，该保护电路包括一硅控整流器以及一电感。硅控整流器包括一第一P型半导体材料、一第一N型半导体材料、一第二P型半导体材料及一第二N型半导体材料。第一P型半导体材料、第一N型半导体材料、第二P型半导体材料及第二N型半导体材料交错排列，并且电性耦接至一阳极与一阴极。阳极电性耦接第一P型半导体材料。阴极电性耦接第二N型半导体材料。电感电性耦接于阳极与第二P型半导体材料之间，或是电性耦接于阴极与第一N型半导体材料之间。本发明提供静电放电保护电路可补偿在高频频段下硅控整流器的寄生电容所造成的影响，从而避免失真现象。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 电路 结构 射频 接收器 | ||
【主权项】：
一种静电放电保护电路，包括：一硅控整流器，包括一第一P型半导体材料、一第一N型半导体材料、一第二P型半导体材料及一第二N型半导体材料，该第一P型半导体材料、该第一N型半导体材料、该第二P型半导体材料及该第二N型半导体材料交错排列，并且电性耦接至一阳极与一阴极，其中该阳极电性耦接该第一P型半导体材料，该阴极电性耦接该第二N型半导体材料；以及一电感，电性耦接于该阳极与该第二P型半导体材料之间，或是电性耦接于该阴极与该第一N型半导体材料之间。
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