[发明专利]一种栅控PN场效应晶体管及其控制方法无效
| 申请号： | 201010209299.3 | 申请日： | 2010-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101901837A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 王鹏飞;臧松干;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种栅控PN场效应晶体管及其控制方法。本发明公开的栅控PN场效应晶体管，包括一个半导体衬底区、位于所述衬底区左右两侧的漏区和源区、位于所述衬底区上下两侧的栅区。所述的栅控PN场效应晶体管工作在源漏pn结的正偏状态下，而且是从衬底区中央开始导通。本发明所提出的栅控PN场效应晶体管在减小漏电流的同时也增大了驱动电流，也就是在降低芯片功耗的同时提高了芯片的性能。本发明还公开了一种上述栅控PN场效应晶体管的控制方法，包括截止、导通操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pn 场效应 晶体管 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种栅控PN场效应晶体管，包括：一个半导体衬底区；位于所述半导体衬底区左右两侧的源区和漏区；位于所述半导体衬底区上下两侧的栅介质层；覆盖所述栅介质层的栅极。
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