[发明专利]薄膜晶体管阵列面板有效
| 申请号： | 201010210445.4 | 申请日： | 2006-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101881914A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 金彰洙;金湘甲;秦洪基;吴旼锡;崔熙焕;金时烈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1333;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：栅极线；数据线，与所述栅极线交叉；存储电极，与所述栅极线和所述数据线分离；薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线并具有漏电极；像素电极，连接到所述漏电极；第一绝缘层，位于所述薄膜晶体管之上并设置在所述像素电极下；以及第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，具有开口，用于露出所述存储电极上的所述第一绝缘层。
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