[发明专利]具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构

摘要

本发明涉及一种具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构，其于一蓝宝石基板上利用蚀刻、沉积等半导体制程，埋设一具有图案花纹的介电层，该介电层为两种不同折射率的材料交互叠置而成，且在该蓝宝石基板上成长包含一N型半导体层、一活化层与一P型半导体层的发光层，并在该N型半导体层与该P型半导体层上分别镀上一N型电极与一P型电极，由此通过该介电层的存在可降低磊晶成长该发光层时的缺陷密度，且该介电层可形成高反射率区域，可反射该发光层所产生的光，使得朝下射出的光再一次反射而由表面或侧边出光，以大幅提升光淬取效率。

主权项

一种具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构包括：一蓝宝石基板(10)；一具有图案花纹的介电层(20)，所述介电层(20)埋设于所述蓝宝石基板(10)的表面，且所述介电层(20)为两种不同折射率的材料交互叠置而成；一发光层(30)，所述发光层(30)成长于所述蓝宝石基板(10)与所述介电层(20)上。