[发明专利]纳米分子印迹聚合物薄膜的原位制备方法和应用无效
| 申请号： | 201010211249.9 | 申请日： | 2010-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101880431A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 付德刚;戎非;刘冬梅;刘秋明;王永向 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C08L35/02 | 分类号： | C08L35/02;C08L25/06;C08L29/04;C08F222/14;C08F220/34;C08F220/56;C08F2/44;C08J9/26;C08J5/18;G01N21/35 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米分子印迹聚合物薄膜的原位制备方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1)将辅助成膜材料、功能单体、模板分子和引发剂在适当溶剂中混合均匀，通过旋涂技术在平整基底上旋涂形成分子印迹聚合物前驱体的复合膜；(2)通过分子印迹聚合物前驱体的复合膜进行光引发或热聚合反应形成纳米膜；(3)洗脱去除纳米膜中的模板分子即得纳米厚度的分子印迹聚合物薄膜。该方法将合适的辅助成膜材料引入分子印迹预聚合体系，能有效地提高原位制备纳米级光学厚度分子印迹薄膜的稳定性。同时，方法中所用基底材料也不限于导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 分子 印迹 聚合物 薄膜 原位 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种纳米分子印迹聚合物薄膜的原位制备方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1)将辅助成膜材料、功能单体、模板分子、交联剂和引发剂在适当溶剂中混合均匀，通过旋涂技术在平整基底上旋涂形成分子印迹聚合物前驱体的复合膜；(2)通过对分子印迹聚合物前驱体的复合膜进行光引发或热聚合反应形成纳米膜；(3)洗脱去除纳米膜中的模板分子即得纳米厚度的分子印迹聚合物薄膜。
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