[发明专利]半导体器件组件以及散热器组件有效
| 申请号： | 201010211425.9 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101930953A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | V·R·贾达夫;K·K·斯卡;郑见涛 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件组件以及散热器组件。公开了一种多层热界面材料，其包括第一金属热界面材料层、缓冲层和优选第二金属或非金属热界面材料层。所述多层热界面材料用于与半导体器件组件结合，所述半导体器件组件包括芯片载体衬底、附接到所述衬底的散热器、安装在所述衬底上并在所述散热器下方的半导体器件、以及插入在所述散热器与所述半导体器件之间的所述多层热界面材料。所述散热器具有第一热膨胀系数(CTE)，CTE1，所述缓冲层具有第二CTE，CTE2，并且半导体器件具有第三CTE，CTE3，其中CTE1＞CTE2＞CTE3。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 组件 以及 散热器 | ||
【主权项】：
一种散热器组件，包括：用于芯片载体衬底的散热器，所述散热器具有第一热膨胀系数CTE1；与所述散热器接触的多层热界面材料，所述热界面材料包括与所述散热器接触的第一金属热界面材料层和与所述第一金属热界面材料层接触的缓冲层，所述缓冲层具有第二热膨胀系数CTE2，其中CTE1＞CTE2。
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