[发明专利]供气单元及供气装置无效
申请号: | 201010211499.2 | 申请日: | 2010-06-23 |
公开(公告)号: | CN101937834A | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 加藤启介;西田成伸;三轮敏一;井上贵史 | 申请(专利权)人: | CKD株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;熊传芳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够使载气(吹扫气体)顺利通过且能够缩小设置有多个开闭阀的块的宽度的供气单元。在供气单元中,阀室(24)沿流路块(20)的长度方向以预定的间隔设于流路块(20)的顶面(20a),连接流路(26)与阀室(24)的大致中央连接并向背离顶面(20a)的方向延伸。载气流路(21)形成为比连接流路(26)粗,且沿流路块(20)的长度方向直线状延伸,并且设置于偏离虚拟平面F的部分处,其中,虚拟平面在宽度方向上将流路块(20)二等分。处理气体流路(22)在与顶面(20a)相反侧的底面(20b)开口,且在流路块(20)中通过从虚拟平面F偏向与载气流路(21)相反一侧的部分后与阀室(24)连接。 | ||
搜索关键词: | 供气 单元 装置 | ||
【主权项】:
供气单元,包括内部设置有流路的流路块,所述流路包括主流路以及多个分别与所述主流路连通的副流路,每个所述副流路具有开闭阀,所述开闭阀使对应的所述副流路和所述主流路隔断及连通,其特征在于,所述流路块形成为呈长条状延伸的长方体状,并具有搭载所述开闭阀的阀搭载面以及副流路开口面,其中,所述副流路在所述副流路开口面形成有开口,所述阀搭载面和所述副流路开口面位于相反的两侧,所述开闭阀沿所述阀搭载面的长度方向进行直列式设置,所述开闭阀的各阀室设于所述阀搭载面,所述副流路与所述阀室连通,所述流路块的内部设有连接所述主流路和所述阀室的连接流路,所述连接流路与所述阀室的大致中央连通且向背离所述阀搭载面的方向延伸,所述主流路形成得比所述连接流路粗并沿所述阀搭载面的长度方向呈直线状延伸,并且,在所述流路块中,所述主流路设置在关于所述阀搭载面的宽度方向从所述阀室的中央偏向一侧的部分中,在所述流路块中,所述副流路在关于所述阀搭载面的宽度方向从所述阀室的中央偏向与所述主流路相反的一侧的部分中通过。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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