[发明专利]一种制备作为太阳能电池吸收层的CuInSe2薄膜的方法有效
| 申请号： | 201010211713.4 | 申请日： | 2010-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102054899A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈祥洲;刘伟丰;江国顺;朱长飞 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 230026 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备CuInSe2薄膜的方法。该方法，包括如下步骤：1)将铜盐和铟盐溶于有机溶剂中后，加入硝酸水溶液混匀，再加入乙醇胺进行反应，至反应体系的pH值为6时反应完毕，密封保温后得到前驱体溶胶；2)将所述前驱体溶胶成膜，干燥后在氢气气氛中进行还原，所述还原反应完毕冷却至室温后再与硒粉进行硒化反应，反应完毕冷却至室温后得到所述CuInSe2薄膜。该方法简单可行，成本低，所得薄膜质量高，是一种应用于大规模低成本的铜铟硒薄膜太阳能电池有效方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 作为 太阳能电池 吸收 cuinse sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备CuInSe2薄膜的方法，包括如下步骤：1)将铜盐和铟盐溶于有机溶剂中后，加入硝酸水溶液混匀，再加入乙醇胺进行反应，至反应体系的pH值为6时反应完毕，密封保温后得到前驱体溶胶；2)将所述前驱体溶胶成膜，干燥后在氢气气氛中进行还原，所述还原反应完毕冷却至室温后再与硒粉进行硒化反应，所述硒化反应完毕冷却至室温后得到所述CuInSe2薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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