[发明专利]一种用于厚膜光刻胶的清洗液有效
| 申请号： | 201010212122.9 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102298277A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘兵;彭洪修;孙广胜 | 申请（专利权）人： | 安集微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于厚膜光刻胶的清洗液，包括：二甲基亚砜，醇钾，芳基醇和醇胺。本发明的用于厚膜光刻胶的清洗液可以在较大的温度范围内(25～90℃)使用，特别是适合用于除去厚度在100μm以上的高交联度的负性光刻胶。同时，该光刻胶清洗液对铜、锡、铅等金属具有极弱的腐蚀性，不会对晶片图案和基材造成损坏，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 光刻 清洗 | ||
【主权项】：
一种用于厚膜光刻胶的清洗液，包括：二甲基亚砜，醇钾，芳基醇和醇胺。
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